包装散装

系列-

零件状态停產

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）50V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）280mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，5V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）2 欧姆 @ 50mA，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）.764nC @ 4.5V

Vgs（最大值）12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）50pF @ 25V

FET 功能-

功率耗散（最大值）900mW（Ta）

工作温度-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装TLM621

封装/外壳6-PowerVFDFN